창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF840LCSTRL | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF840LCS(L)/SiHF840LCS(L) | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 850m옴 @ 4.8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 39nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1100pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRF840LCSTRL | |
관련 링크 | IRF840, IRF840LCSTRL Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | LP200F35CDT | 20MHz ±30ppm 수정 18pF 30옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP200F35CDT.pdf | |
![]() | ASPI-0804T-680M-T | 68µH Unshielded Wirewound Inductor 1.4A 200 mOhm Max Nonstandard | ASPI-0804T-680M-T.pdf | |
![]() | LQW15AN5N7D80D | 5.7nH Unshielded Wirewound Inductor 1.77A 40 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | LQW15AN5N7D80D.pdf | |
![]() | EWT25JB1R00 | RES CHAS MNT 1 OHM 5% 25W | EWT25JB1R00.pdf | |
![]() | CRCW04021K02FKED | RES SMD 1.02K OHM 1% 1/16W 0402 | CRCW04021K02FKED.pdf | |
![]() | RC0201FR-072K49L | RES SMD 2.49K OHM 1% 1/20W 0201 | RC0201FR-072K49L.pdf | |
![]() | Y40741K00000T9R | RES SMD 1K OHM 0.01% 0.4W 1506 | Y40741K00000T9R.pdf | |
![]() | CRCW1206120RJNEAIF | RES SMD 120 OHM 5% 1/4W 1206 | CRCW1206120RJNEAIF.pdf |