Infineon Technologies IRF8788TRPBF

IRF8788TRPBF
제조업체 부품 번호
IRF8788TRPBF
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO
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IRF8788TRPBF 매개 변수
내부 부품 번호EIS-IRF8788TRPBF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서IRF8788PBF
제품 교육 모듈High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Discrete Power MOSFETs 40V and Below
설계 리소스IRF8788PBF Saber Model
IRF8788PBF Spice Model
PCN 조립/원산지Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013
PCN 포장Package Drawing Update 19/Aug/2015
카탈로그 페이지 1518 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열HEXFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C24A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs2.8m옴 @ 24A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.35V @ 100µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs66nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds5720pF @ 15V
전력 - 최대2.5W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
공급 장치 패키지8-SO
표준 포장 4,000
다른 이름IRF8788TRPBFTR
SP001565728
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IRF8788TRPBF
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