Infineon Technologies IRF9952PBF
- 제조업체 부품 번호
- IRF9952PBF
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IRF9952PBF 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IRF9952PBF, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IRF9952PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF9952PBF, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IRF9952PBF 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IRF9952PBF 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF9952PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IRF9952PbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| PCN 부품 상태 변경 | Pkg Type Disc 16/May/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 주문 불가 | |
| FET 유형 | N 및 P-Chan | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.5A, 2.3A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 100m옴 @ 2.2A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 14nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 190pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 95 | |
| 다른 이름 | SP001566518 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IRF9952PBF | |
| 관련 링크 | IRF99, IRF9952PBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IRF9952PBF 의 관련 제품
 | USV0J220MFD | 22µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | USV0J220MFD.pdf | |
 | GRM0335C1H9R7BA01D | 9.7pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0335C1H9R7BA01D.pdf | |
 | 416F30025IDR | 30MHz ±20ppm 수정 18pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F30025IDR.pdf | |
 | SIT9002AC-03H25SG | 1MHz ~ 220MHz LVPECL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 84mA Standby | SIT9002AC-03H25SG.pdf | |
 | BZX55B5V1-TAP | DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35 | BZX55B5V1-TAP.pdf | |
 | 2SC39410RA | TRANS NPN 300V 0.07A TO-92NL | 2SC39410RA.pdf | |
 | BLF6G15L-250PBRN,1 | TRANS LDMOS SOT1110A | BLF6G15L-250PBRN,1.pdf | |
 | MCR10EZPF5110 | RES SMD 511 OHM 1% 1/8W 0805 | MCR10EZPF5110.pdf | |
.jpg) | RT0603DRE0745R3L | RES SMD 45.3 OHM 0.5% 1/10W 0603 | RT0603DRE0745R3L.pdf | |
.jpg) | PHP00805E1152BBT1 | RES SMD 11.5K OHM 0.1% 5/8W 0805 | PHP00805E1152BBT1.pdf | |
.jpg) | RT1210WRD0723R2L | RES SMD 23.2 OHM 0.05% 1/4W 1210 | RT1210WRD0723R2L.pdf | |
 | Y0062108R000V9L | RES 108 OHM 0.6W 0.005% RADIAL | Y0062108R000V9L.pdf |
