창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF9Z14STRR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF9Z14S,L, SiHF9Z14S,L | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.7A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 500m옴 @ 4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 270pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.7W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRF9Z14STRR | |
관련 링크 | IRF9Z, IRF9Z14STRR Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | S3483R-6R8M | 6.8µH Shielded Wirewound Inductor 1.6mA 50 mOhm Max Nonstandard | S3483R-6R8M.pdf | |
![]() | RP73D2B41R2BTG | RES SMD 41.2 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RP73D2B41R2BTG.pdf | |
![]() | MBA02040C1219FCT00 | RES 12.1 OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C1219FCT00.pdf | |
![]() | CMF55301K30BEEK | RES 301.3K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF55301K30BEEK.pdf | |
![]() | 90J2K7E | RES 2.7K OHM 11W 5% AXIAL | 90J2K7E.pdf | |
![]() | P51-200-S-W-I36-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 200 PSI (1378.95 kPa) Sealed Gauge Male - 1/8" (3.18mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-200-S-W-I36-4.5OVP-000-000.pdf |