창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFB3006PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRFB3006PBF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRFB3006PBF Saber Model IRFB3006PBF Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Additional Assembly Site 13/Jun/2014 TO220/247 Fab Site Transfer 19/May/2016 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 195A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.5m옴 @ 170A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 300nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8970pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 375W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | SP001570606 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFB3006PBF | |
관련 링크 | IRFB3, IRFB3006PBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
MALIEYH07LA512D02K | 12000µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 48 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 105°C | MALIEYH07LA512D02K.pdf | ||
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RE0603DRE071KL | RES SMD 1K OHM 0.5% 1/10W 0603 | RE0603DRE071KL.pdf | ||
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25J1K5E | RES 1.5K OHM 5W 5% AXIAL | 25J1K5E.pdf | ||
P51-3000-S-A-I12-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 3000 PSI (20684.27 kPa) Sealed Gauge Male - 1/4" (6.35mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-3000-S-A-I12-4.5OVP-000-000.pdf |