창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFB3206PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRFB3206PbF, IRFS(L)3206PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRFB3206PBF Saber Model IRFB3206PBF Spice Model | |
주요제품 | Automatic Opening Systems | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Qualification Wafer Source 01/Apr/2014 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 TO220/247 Fab Site Transfer 19/May/2016 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3m옴 @ 75A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 150µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 170nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6540pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 64-0088PBF 64-0088PBF-ND SP001566480 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFB3206PBF | |
관련 링크 | IRFB3, IRFB3206PBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
![]() | B43851A1337M | 330µF 160V Aluminum Capacitors Radial, Can 1 Ohm @ 120Hz 3000 Hrs @ 105°C | B43851A1337M.pdf | |
![]() | SR212A150JARTR1 | 15pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.200" L x 0.125" W(5.08mm x 3.18mm) | SR212A150JARTR1.pdf | |
![]() | F950J107MSAAM1Q | 100µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 6.3V 1206 (3216 Metric) 900 mOhm 0.126" L x 0.067" W (3.20mm x 1.70mm) | F950J107MSAAM1Q.pdf | |
![]() | 416F27123CTT | 27.12MHz ±20ppm 수정 6pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27123CTT.pdf | |
![]() | 636L3I040M00000 | 40MHz HCMOS, TTL XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 25mA Enable/Disable | 636L3I040M00000.pdf | |
![]() | BAS21WT-TP | DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT323 | BAS21WT-TP.pdf | |
![]() | AU1PGHM3/85A | DIODE AVALANCHE 400V 1A DO220AA | AU1PGHM3/85A.pdf | |
![]() | Y11724K99000B0W | RES SMD 4.99KOHM 0.1% 1/10W 0805 | Y11724K99000B0W.pdf | |
![]() | CRCW02015M10JNED | RES SMD 5.1M OHM 5% 1/20W 0201 | CRCW02015M10JNED.pdf | |
RSMF1FB10K0 | RES MO 1W 10K OHM 1% AXIAL | RSMF1FB10K0.pdf | ||
![]() | CMF5512K700FKR670 | RES 12.7K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5512K700FKR670.pdf | |
![]() | P51-1000-S-I-MD-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 1000 PSI (6894.76 kPa) Sealed Gauge Male - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-1000-S-I-MD-4.5V-000-000.pdf |