창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFB3306GPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRFB3306GPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
주요제품 | Automatic Opening Systems | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 TO220/247 Fab Site Transfer 19/May/2016 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.2m옴 @ 75A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 150µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 120nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4520pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 230W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | SP001555952 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFB3306GPBF | |
관련 링크 | IRFB33, IRFB3306GPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | 2IO4B | I/O Module Rack 4 Channel | 2IO4B.pdf | |
![]() | CRCW1210422KFKEA | RES SMD 422K OHM 1% 1/2W 1210 | CRCW1210422KFKEA.pdf | |
![]() | RG1005N-433-B-T5 | RES SMD 43K OHM 0.1% 1/16W 0402 | RG1005N-433-B-T5.pdf | |
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![]() | CRX406B | 413MHz Whip, Straight RF Antenna 406MHz ~ 420MHz 7dBi Connector, U.FL Bracket Mount | CRX406B.pdf | |
![]() | HSCMRRN015PGAA5 | Pressure Sensor 15 PSI (103.42 kPa) Vented Gauge Male - 0.08" (1.93mm) Tube, Dual 0.5 V ~ 4.5 V 8-SMD, J-Lead, Dual Ports, Same Side | HSCMRRN015PGAA5.pdf | |
![]() | 3106 02450004 | THERMOSTAT LOW LVL HERMETIC | 3106 02450004.pdf |