창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFB3607PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF(B,S,SL)3607PBF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Qualification Wafer Source 14/Mar/2014 TO220/247 Fab Site Transfer 19/May/2016 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9m옴 @ 46A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 84nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3070pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 140W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 64-0093PBF 64-0093PBF-ND SP001551746 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFB3607PBF | |
관련 링크 | IRFB3, IRFB3607PBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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UPM2A100MED | 10µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | UPM2A100MED.pdf | ||
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HS250 30R F | RES CHAS MNT 30 OHM 1% 250W | HS250 30R F.pdf | ||
![]() | LTR10EVHFL3R30 | RES SMD 3.3 OHM 1/2W 0805 WIDE | LTR10EVHFL3R30.pdf | |
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![]() | CMF6082R000FKRE64 | RES 82 OHM 1W 1% AXIAL | CMF6082R000FKRE64.pdf | |
![]() | CP0603A1441CLTR | RF Directional Coupler PDC 1.429GHz ~ 1.453GHz 11dB 3W 0603 (1608 Metric) | CP0603A1441CLTR.pdf | |
![]() | E2E2-X10B2-M1 | Inductive Proximity Sensor 0.394" (10mm) IP67 Cylinder, Threaded - M30 | E2E2-X10B2-M1.pdf |