창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFB4227PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRFB4227PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRFB4227PBF Saber Model IRFB4227PBF Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 65A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 24m옴 @ 46A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 98nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4600pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 330W | |
작동 온도 | -40°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | SP001565892 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFB4227PBF | |
관련 링크 | IRFB4, IRFB4227PBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | LP050F23IET | 5MHz ±20ppm 수정 20pF 80옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP050F23IET.pdf | |
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![]() | S1008-152G | 1.5µH Shielded Inductor 545mA 420 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | S1008-152G.pdf | |
![]() | SFR16S0002612FR500 | RES 26.1K OHM 1/2W 1% AXIAL | SFR16S0002612FR500.pdf | |
![]() | MBA02040C1828FC100 | RES 1.82 OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C1828FC100.pdf |