Infineon Technologies IRFB4229PBF
- 제조업체 부품 번호
- IRFB4229PBF
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 250V 46A TO-220AB
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IRFB4229PBF 가격 및 조달
가능 수량
1309 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 2,283.24100
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IRFB4229PBF, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IRFB4229PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFB4229PBF, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IRFB4229PBF 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IRFB4229PBF 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFB4229PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IRFB4229PBF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| 설계 리소스 | IRFB4229PBF Saber Model IRFB4229PBF Spice Model | |
| PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 46A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 46m옴 @ 26A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4560pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 330W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | SP001565910 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IRFB4229PBF | |
| 관련 링크 | IRFB4, IRFB4229PBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IRFB4229PBF 의 관련 제품
 | UHN0J821MPD | 820µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | UHN0J821MPD.pdf | |
 | VJ0402D2R2DLBAC | 2.2pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D2R2DLBAC.pdf | |
 | VJ2225A223KBCAT4X | 0.022µF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 2225(5763 미터법) 0.226" L x 0.250" W(5.74mm x 6.35mm) | VJ2225A223KBCAT4X.pdf | |
 | C911U240JVNDCAWL20 | 24pF 400VAC 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.315" Dia(8.00mm) | C911U240JVNDCAWL20.pdf | |
 | 890334024002 | 0.22µF Film Capacitor 310V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.591" L x 0.276" W (15.00mm x 7.00mm) | 890334024002.pdf | |
 | R60PR36805040K | 0.68µF Film Capacitor 220V 630V Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized Radial 1.260" L x 0.433" W (32.00mm x 11.00mm) | R60PR36805040K.pdf | |
 | 416F37013ISR | 37MHz ±10ppm 수정 시리즈 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F37013ISR.pdf | |
 | APTD3216CGCK | Green 570nm LED Indication - Discrete 2.1V 1206 (3216 Metric) | APTD3216CGCK.pdf | |
 | PM2110-391K-RC | 390µH Unshielded Toroidal Inductor 3.1A 98 mOhm Max Nonstandard | PM2110-391K-RC.pdf | |
 | G6B-2114P-1-US-DC9 | General Purpose Relay DPST-NO/NC (1 Form A and B) 9VDC Coil Through Hole | G6B-2114P-1-US-DC9.pdf | |
 | H8453RBYA | RES 453 OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H8453RBYA.pdf | |
| CW01095K20JE733 | RES 95.2K OHM 13W 5% AXIAL | CW01095K20JE733.pdf |
