창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFB4229PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRFB4229PBF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRFB4229PBF Saber Model IRFB4229PBF Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 46A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 46m옴 @ 26A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4560pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 330W | |
작동 온도 | -40°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | SP001565910 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFB4229PBF | |
관련 링크 | IRFB4, IRFB4229PBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
ECO-S2GA820CA | 82µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 1.617 Ohm @ 120Hz 3000 Hrs @ 105°C | ECO-S2GA820CA.pdf | ||
35ML10MEFCT54X7 | 10µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | 35ML10MEFCT54X7.pdf | ||
MAL215256689E3 | 68µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can 4000 Hrs @ 105°C | MAL215256689E3.pdf | ||
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06035A6R0JAT2A | 6pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06035A6R0JAT2A.pdf | ||
SMB10J16AHE3/5B | TVS DIODE 16VWM 26VC SMB | SMB10J16AHE3/5B.pdf | ||
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RNMF12FTD2K32 | RES 2.32K OHM 1/2W 1% AXIAL | RNMF12FTD2K32.pdf | ||
P51-3000-S-A-MD-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 3000 PSI (20684.27 kPa) Sealed Gauge Male - 1/4" (6.35mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-3000-S-A-MD-4.5OVP-000-000.pdf |