Infineon Technologies IRFB42N20DPBF
- 제조업체 부품 번호
- IRFB42N20DPBF
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 200V 44A TO-220AB
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IRFB42N20DPBF 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 2,124.71133
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IRFB42N20DPBF, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IRFB42N20DPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFB42N20DPBF, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IRFB42N20DPBF 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IRFB42N20DPBF 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFB42N20DPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IRFB42N20DPbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| 설계 리소스 | IRFB42N20D Saber Model IRFB42N20D Spice Model | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 44A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 55m옴 @ 26A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 140nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3430pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.4W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRFB42N20DPBF SP001560222 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IRFB42N20DPBF | |
| 관련 링크 | IRFB42, IRFB42N20DPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IRFB42N20DPBF 의 관련 제품
-Kemet.jpg) | C1206C102K5RACAUTO | 1000pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206C102K5RACAUTO.pdf | |
 | D270J20C0GF6TJ5R | 27pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.197" Dia(5.00mm) | D270J20C0GF6TJ5R.pdf | |
 | CD214C-T20CALF | TVS DIODE 20VWM 32.4VC DO214AB | CD214C-T20CALF.pdf | |
| SIT9120AI-1C3-33E125.000000T | OSC XO 3.3V 125MHZ OE | SIT9120AI-1C3-33E125.000000T.pdf | |
-2.50-mm-x-2.00-mm.jpg) | DSC1121DE1-025.0012 | 25.0012MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 35mA Enable/Disable | DSC1121DE1-025.0012.pdf | |
-TDK.jpg) | MLF2012DR12MTD25 | 120nH Shielded Multilayer Inductor 300mA 200 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | MLF2012DR12MTD25.pdf | |
 | 29L683C | 68µH Shielded Wirewound Inductor 530mA 307 mOhm Max Nonstandard | 29L683C.pdf | |
 | ESR18EZPJ205 | RES SMD 2M OHM 5% 1/3W 1206 | ESR18EZPJ205.pdf | |
 | ERJ-12ZYJ915U | RES SMD 9.1M OHM 5% 3/4W 2010 | ERJ-12ZYJ915U.pdf | |
.jpg) | ERA-8ARW8872V | RES SMD 88.7KOHM 0.05% 1/4W 1206 | ERA-8ARW8872V.pdf | |
| Y01041K00000S0L | RES 1K OHM 1W 0.001% AXIAL | Y01041K00000S0L.pdf | |
| P51-2000-S-J-D-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 2000 PSI (13789.51 kPa) Sealed Gauge Male - 3/8" (9.52mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-2000-S-J-D-4.5V-000-000.pdf |
