Infineon Technologies IRFB4310PBF
- 제조업체 부품 번호
- IRFB4310PBF
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 130A TO-220AB
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IRFB4310PBF 가격 및 조달
가능 수량
1757 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 2,573.83500
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IRFB4310PBF, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IRFB4310PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFB4310PBF, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IRFB4310PBF 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IRFB4310PBF 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFB4310PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IRFB4310PbF, IRFS(L)4310PbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| 설계 리소스 | IRFB4310PBF Saber Model IRFB4310PBF Spice Model | |
| PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 130A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7m옴 @ 75A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 250nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7670pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRFB4310PBF SP001566592 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IRFB4310PBF | |
| 관련 링크 | IRFB4, IRFB4310PBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IRFB4310PBF 의 관련 제품
 | MAL212386151E3 | 150µF 25V Aluminum Capacitors Axial, Can 2.1 Ohm @ 100Hz 20000 Hrs @ 125°C | MAL212386151E3.pdf | |
 | 04025C221JAT2A | 220pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | 04025C221JAT2A.pdf | |
.jpg) | 2220AA472KAT1A | 4700pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 2220(5750 미터법) 0.224" L x 0.197" W(5.70mm x 5.00mm) | 2220AA472KAT1A.pdf | |
 | GRM1885C1H9R0DZ01J | 9pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1885C1H9R0DZ01J.pdf | |
 | BFC246731123 | 0.012µF Film Capacitor 220V 400V Polyester, Metallized Radial 0.492" L x 0.177" W (12.50mm x 4.50mm) | BFC246731123.pdf | |
 | 445A33D14M31818 | 14.31818MHz ±30ppm 수정 18pF 50옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A33D14M31818.pdf | |
 | 416F30035IDR | 30MHz ±30ppm 수정 18pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F30035IDR.pdf | |
 | VS-30EPH03PBF | DIODE GEN PURP 300V 30A TO247AC | VS-30EPH03PBF.pdf | |
 | RSM002P03T2L | MOSFET P-CH 30V 200MA VMT3 | RSM002P03T2L.pdf | |
 | 20TYS9 | FILTER 3-PHASE 440V EMI 20A | 20TYS9.pdf | |
| AA0402FR-073R32L | RES SMD 3.32 OHM 1% 1/16W 0402 | AA0402FR-073R32L.pdf | |
 | MCU08050E3902BP100 | RES SMD 39K OHM 0.1% 1/8W 0805 | MCU08050E3902BP100.pdf |
