Infineon Technologies IRFB4710PBF
- 제조업체 부품 번호
- IRFB4710PBF
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 75A TO-220AB
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IRFB4710PBF 가격 및 조달
가능 수량
2512 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,565.77500
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IRFB4710PBF, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IRFB4710PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFB4710PBF, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IRFB4710PBF 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IRFB4710PBF 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFB4710PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IRFB4710PbF, IRFS(L)4710PbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| 설계 리소스 | IRFB4710PBF Saber Model IRFB4710PBF Spice Model | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14m옴 @ 45A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 170nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6160pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.8W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRFB4710PBF SP001556118 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IRFB4710PBF | |
| 관련 링크 | IRFB4, IRFB4710PBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IRFB4710PBF 의 관련 제품
 | ECE-V0JA102P | 1000µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 2000 Hrs @ 85°C | ECE-V0JA102P.pdf | |
 | GRM1557U1H5R6CZ01D | 5.6pF 50V 세라믹 커패시터 U2J 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1557U1H5R6CZ01D.pdf | |
 | CG590LSTR | GDT 90V 5KA SURFACE MOUNT | CG590LSTR.pdf | |
.jpg) | SMLJ36CE3/TR13 | TVS DIODE 36VWM 64.3VC SMCJ | SMLJ36CE3/TR13.pdf | |
 | 9C-13.560MBBK-T | 13.56MHz ±50ppm 수정 20pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC-49S | 9C-13.560MBBK-T.pdf | |
 | 445A22F12M00000 | 12MHz ±20ppm 수정 24pF 50옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A22F12M00000.pdf | |
 | SIT1602AIB23-33E-50.000000E | OSC XO 3.3V 50MHZ OE | SIT1602AIB23-33E-50.000000E.pdf | |
 | B82732F2601B1 | 68mH @ 10kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 600mA DCR 1.97 Ohm (Typ) | B82732F2601B1.pdf | |
 | ESR01MZPJ104 | RES SMD 100K OHM 5% 1/5W 0402 | ESR01MZPJ104.pdf | |
 | RGC0805DTD29K4 | RES SMD 29.4K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RGC0805DTD29K4.pdf | |
.jpg) | RT0805FRE0761K9L | RES SMD 61.9K OHM 1% 1/8W 0805 | RT0805FRE0761K9L.pdf | |
| ATT-0290-05-HEX-02 | RF Attenuator 5dB ±0.3dB 0Hz ~ 18GHz 2W HEX In-Line Module | ATT-0290-05-HEX-02.pdf |
