창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFB7446GPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRFB7446GPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Additional Assembly Site 09/Dec/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET®, StrongIRFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.3m옴 @ 70A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 93nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3183pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 99W | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | SP001566710 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFB7446GPBF | |
관련 링크 | IRFB74, IRFB7446GPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
SIT1602AC-22-18S-54.000000E | OSC XO 1.8V 54MHZ | SIT1602AC-22-18S-54.000000E.pdf | ||
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T620103004DN | SCR PHASE CTRL MOD 1000V 300A | T620103004DN.pdf | ||
RLP73M2BR030JTD | RES SMD 0.03 OHM 5% 1/2W 1206 | RLP73M2BR030JTD.pdf | ||
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AT0402DRE0717K4L | RES SMD 17.4KOHM 0.5% 1/16W 0402 | AT0402DRE0717K4L.pdf | ||
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RP73D2B475RBTG | RES SMD 475 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RP73D2B475RBTG.pdf | ||
TNPU080580K6AZEN00 | RES SMD 80.6KOHM 0.05% 1/8W 0805 | TNPU080580K6AZEN00.pdf | ||
CMF60481R20BEEB | RES 481.2 OHM 1W 0.1% AXIAL | CMF60481R20BEEB.pdf | ||
TA203PAR250JE | RES 0.25 OHM 3W 5% RADIAL | TA203PAR250JE.pdf | ||
P51-200-S-Z-I36-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 200 PSI (1378.95 kPa) Sealed Gauge Male - 1/4" (6.35mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-200-S-Z-I36-4.5V-000-000.pdf |