창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFB7787PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF(B,S,SL)7787PbF | |
주요제품 | IR - StrongIRFET™ Through-hole Power MOSFETs | |
PCN 조립/원산지 | Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET®, StrongIRFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 76A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.4m옴 @ 46A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.7V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 109nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4020pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 125W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | SP001570798 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFB7787PBF | |
관련 링크 | IRFB7, IRFB7787PBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
UPM0J101MDD | 100µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | UPM0J101MDD.pdf | ||
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![]() | C1608X8R1H222M080AE | 2200pF 50V 세라믹 커패시터 X8R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C1608X8R1H222M080AE.pdf | |
![]() | VJ0805D220GXXAJ | 22pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D220GXXAJ.pdf | |
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1N8030-GA | DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257 | 1N8030-GA.pdf | ||
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