창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFB9N65APBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRFB9N65A Packaging Information | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1523 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 930m옴 @ 5.1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 48nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1417pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 167W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | *IRFB9N65APBF | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFB9N65APBF | |
관련 링크 | IRFB9N, IRFB9N65APBF Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | PHP00805E6980BBT1 | RES SMD 698 OHM 0.1% 5/8W 0805 | PHP00805E6980BBT1.pdf | |
![]() | RC12JT15K0 | RES 15K OHM 1/2W 5% AXIAL | RC12JT15K0.pdf | |
![]() | H8806KBYA | RES 806K OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H8806KBYA.pdf | |
![]() | E2E2-X5B2 5M | Inductive Proximity Sensor 0.197" (5mm) IP67 Cylinder, Threaded - M18 | E2E2-X5B2 5M.pdf |