창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFBC30PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRFBC30PBF Packaging Information | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1523 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.6A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.2옴 @ 2.2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 31nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 660pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 74W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRFBC30PBF | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFBC30PBF | |
관련 링크 | IRFBC, IRFBC30PBF Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
GJM0335C1E2R2CB01D | 2.2pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GJM0335C1E2R2CB01D.pdf | ||
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1.5SMC180AHE3/57T | TVS DIODE 154VWM 246VC DO214AB | 1.5SMC180AHE3/57T.pdf | ||
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PLY10AS9920R6R2B | 2 Line Common Mode Choke Through Hole 600mA | PLY10AS9920R6R2B.pdf | ||
ELJ-RF33NGFB | 33nH Unshielded Multilayer Inductor 170mA 1.4 Ohm Max 0402 (1005 Metric) | ELJ-RF33NGFB.pdf | ||
ERJ-S03J224V | RES SMD 220K OHM 5% 1/10W 0603 | ERJ-S03J224V.pdf | ||
D2TO035C200R0JTE3 | RES SMD 200 OHM 5% 35W TO263 | D2TO035C200R0JTE3.pdf | ||
CMF7027K100BEEB | RES 27.1K OHM 1.75W 0.1% AXIAL | CMF7027K100BEEB.pdf |