창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFBC30STRR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRFBC30S,L, SiHFBC30S,L | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.6A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.2옴 @ 2.2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 31nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 660pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFBC30STRR | |
관련 링크 | IRFBC, IRFBC30STRR Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | SDR1005-331KL | 330µH Unshielded Wirewound Inductor 550mA 1.15 Ohm Max Nonstandard | SDR1005-331KL.pdf | |
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![]() | MCR03EZPFX5113 | RES SMD 511K OHM 1% 1/10W 0603 | MCR03EZPFX5113.pdf | |
![]() | TNPW120649K9BETA | RES SMD 49.9K OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW120649K9BETA.pdf | |
![]() | RG3216N-1330-W-T1 | RES SMD 133 OHM 0.05% 1/4W 1206 | RG3216N-1330-W-T1.pdf | |
![]() | TNPW2512619RBEEY | RES SMD 619 OHM 0.1% 1/2W 2512 | TNPW2512619RBEEY.pdf |