창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFBE20PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRFBE20 Packaging Information | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1523 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.5옴 @ 1.1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 530pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 54W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRFBE20PBF | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFBE20PBF | |
관련 링크 | IRFBE, IRFBE20PBF Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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CGJ5L4C0G2H103J160AA | 10000pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CGJ5L4C0G2H103J160AA.pdf | ||
C0805C334Z4VACTU | 0.33µF 16V 세라믹 커패시터 Y5V(F) 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805C334Z4VACTU.pdf | ||
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MKP385675016JYM2T0 | 75µF Film Capacitor 110V 160V Polypropylene (PP), Metallized Radial 2.264" L x 1.378" W (57.50mm x 35.00mm) | MKP385675016JYM2T0.pdf | ||
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P51-200-S-J-D-20MA-000-000 | Pressure Sensor 200 PSI (1378.95 kPa) Sealed Gauge Male - 3/8" (9.52mm) UNF 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-200-S-J-D-20MA-000-000.pdf |