창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFH3707TR2PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRFH3707PBF | |
설계 리소스 | IRFH3707TR2PBF Saber Model IRFH3707TR2PBF Spice Model | |
PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 13/Nov/2013 | |
PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 | |
카탈로그 페이지 | 1519 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Ta), 29A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 12.4m옴 @ 12A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.35V @ 25µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.1nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 755pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 2.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-PQFN(3x3) | |
표준 포장 | 400 | |
다른 이름 | IRFH3707TR2PBFTR SP001566048 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFH3707TR2PBF | |
관련 링크 | IRFH370, IRFH3707TR2PBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | CL21A225KQFNNNG | 2.2µF 6.3V 세라믹 커패시터 X5R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CL21A225KQFNNNG.pdf | |
![]() | 416F38425CKR | 38.4MHz ±20ppm 수정 8pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38425CKR.pdf | |
![]() | 12CTQ040STR | DIODE SCHOTTKY 40V 6A D2PAK | 12CTQ040STR.pdf | |
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![]() | 1N4004SP TR | DIODE GEN PURP 400V 1A DO41 | 1N4004SP TR.pdf | |
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![]() | IMP4-1D0-1E0-1L0-1L0-00-A | IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY | IMP4-1D0-1E0-1L0-1L0-00-A.pdf | |
![]() | RSF1JBR360 | RES MO 1W 0.36 OHM 5% AXIAL | RSF1JBR360.pdf | |
![]() | AC05000008200JAC00 | RES 820 OHM 5W 5% AXIAL | AC05000008200JAC00.pdf | |
![]() | CMF55150K00BERE70 | RES 150K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF55150K00BERE70.pdf | |
![]() | B59641A105A62 | PTC Thermistor 470 Ohm 0603 (1608 Metric) | B59641A105A62.pdf |