창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFH4201TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRFH4201PbF | |
제품 교육 모듈 | Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
주요제품 | FastIRFET™ Power MOSFET | |
PCN 단종/ EOL | Multi Mosfet EOL 2/Mar/2016 | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 49A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 0.95m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 150µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 94nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6100pF @ 13V | |
전력 - 최대 | 3.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-PQFN(5x6) | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | IRFH4201TRPBFTR SP001551886 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFH4201TRPBF | |
관련 링크 | IRFH42, IRFH4201TRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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2R5TPE470M9 | 470µF Molded Tantalum - Polymer Capacitors 2.5V 2917 (7343 Metric) 9 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | 2R5TPE470M9.pdf | ||
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![]() | RG1608N-471-D-T5 | RES SMD 470 OHM 0.5% 1/10W 0603 | RG1608N-471-D-T5.pdf | |
![]() | CSRN2512FK22L0 | RES SMD 0.022 OHM 1% 2W 2512 | CSRN2512FK22L0.pdf | |
![]() | FRM3WSJR-73-390R | RES 390 OHM 3W 5% AXIAL | FRM3WSJR-73-390R.pdf | |
![]() | CMF072M7000JKR6 | RES 2.7M OHM 1/2W 5% AXIAL | CMF072M7000JKR6.pdf | |
![]() | CP0805A1880CWTR | RF Directional Coupler PCS 1.85GHz ~ 1.91GHz 7.5 ± 1dB 3W 0805 (2012 Metric) | CP0805A1880CWTR.pdf |