창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFH4210DTRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRFH4210DPbF | |
제품 교육 모듈 | Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | PQFN 5x6 RoHS Compliance | |
주요제품 | FastIRFET™ Power MOSFET | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 44A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.1m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 77nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4812pF @ 13V | |
전력 - 최대 | 3.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PQFN(5x6) | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | IRFH4210DTRPBFTR SP001575718 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFH4210DTRPBF | |
관련 링크 | IRFH421, IRFH4210DTRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | MKP385416025JFM2B0 | 0.16µF Film Capacitor 160V 250V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.197" W (17.50mm x 5.00mm) | MKP385416025JFM2B0.pdf | |
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![]() | 416F2701XCDT | 27MHz ±10ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F2701XCDT.pdf | |
![]() | 520M15HA13M0000 | 13MHz Clipped Sine Wave VCTCXO Oscillator Surface Mount 1.8V 2mA | 520M15HA13M0000.pdf | |
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