창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFH4253DTRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRFH4253DPbF | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | PQFN 5x6 RoHS Compliance | |
주요제품 | 25 V FastIRFET™ Family of Dual Power MOSFETs in Power Block PQFN Package | |
PCN 조립/원산지 | Assembly Site Addition 13/Mar/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 64A, 145A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.2m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 35µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1314pF @ 13V | |
전력 - 최대 | 31W, 50W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | PQFN(5x6) | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | IRFH4253DTRPBFTR SP001556246 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFH4253DTRPBF | |
관련 링크 | IRFH425, IRFH4253DTRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
B43041A5685M | 6.8µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | B43041A5685M.pdf | ||
CGA3E2X7R1H683K080AA | 0.068µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CGA3E2X7R1H683K080AA.pdf | ||
C0603C561J1RACTU | 560pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C0603C561J1RACTU.pdf | ||
1808HA330JAT1A | 33pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.180" L x 0.080" W(4.57mm x 2.03mm) | 1808HA330JAT1A.pdf | ||
AQ11EA6R8BA1WE | 6.8pF 150V 세라믹 커패시터 A 0606(1616 미터법) 0.055" L x 0.055" W(1.40mm x 1.40mm) | AQ11EA6R8BA1WE.pdf | ||
MDS-100APS12 BA | AC/DC CONVERTER 12V 100W | MDS-100APS12 BA.pdf | ||
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