Infineon Technologies IRFH5250TRPBF

IRFH5250TRPBF
제조업체 부품 번호
IRFH5250TRPBF
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 25V 45A PQFN
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IRFH5250TRPBF 매개 변수
내부 부품 번호EIS-IRFH5250TRPBF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서IRFH5250PbF
제품 교육 모듈High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Discrete Power MOSFETs 40V and Below
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보PQFN 5x6 RoHS Compliance
설계 리소스IRFH5250TR2PBF Saber Model
IRFH5250TR2PBF Spice Model
PCN 조립/원산지Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013
Additional Assembly Site 23/Jul/2014
Assembly Site Revision 03/Feb/2015
Product Assembly Notification 10/Feb/2015
PCN 포장Package Drawing Update 19/Aug/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열HEXFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)25V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C45A(Ta), 100A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs1.15m옴 @ 50A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.35V @ 150µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs110nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds7174pF @ 13V
전력 - 최대3.6W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력VDFN
공급 장치 패키지PQFN(5x6)
표준 포장 4,000
다른 이름IRFH5250TRPBF-ND
IRFH5250TRPBFTR
SP001566020
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IRFH5250TRPBF
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