Infineon Technologies IRFH5302TRPBF
- 제조업체 부품 번호
- IRFH5302TRPBF
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFN
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IRFH5302TRPBF 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 521.88365
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IRFH5302TRPBF, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IRFH5302TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFH5302TRPBF, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IRFH5302TRPBF 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IRFH5302TRPBF 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFH5302TRPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IRFH5302PBF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
| 설계 리소스 | IRFH5302TR2PBF Saber Model IRFH5302TR2PBF Spice Model | |
| PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 32A(Ta), 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.1m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.35V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 76nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4400pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 3.6W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PQFN(5x6) 단일 다이 | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | IRFH5302TRPBF-ND IRFH5302TRPBFTR SP001575636 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IRFH5302TRPBF | |
| 관련 링크 | IRFH53, IRFH5302TRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IRFH5302TRPBF 의 관련 제품
 | UPM1A121MED1TD | 120µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | UPM1A121MED1TD.pdf | |
 | B43504A2158M87 | 1500µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 100 mOhm @ 100Hz 3000 Hrs @ 105°C | B43504A2158M87.pdf | |
.jpg) | TMK105BJ224KVHF | 0.22µF 25V 세라믹 커패시터 X5R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | TMK105BJ224KVHF.pdf | |
| SR211A221KARTR1 | 220pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.200" L x 0.125" W(5.08mm x 3.18mm) | SR211A221KARTR1.pdf | |
| VJ0805D821GXAAJ | 820pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D821GXAAJ.pdf | |
| 0337010.LXS | FUSE MICRO3 BLADE 32V AG 10A | 0337010.LXS.pdf | |
| 5KP48-B | TVS DIODE 48VWM 81.27VC P600 | 5KP48-B.pdf | |
 | VOL617A-2X001T | Optoisolator Transistor Output 5000Vrms 1 Channel 4-LSOP (2.54mm) | VOL617A-2X001T.pdf | |
.jpg) | AF1210FR-0724K9L | RES SMD 24.9K OHM 1% 1/2W 1210 | AF1210FR-0724K9L.pdf | |
 | MMA-495930-Q4 | RF Amplifier IC General Purpose 4.9GHz ~ 5.9GHz 24-QFN (4x4) | MMA-495930-Q4.pdf | |
 | PEC11R-4020F-S0012 | ENCODER ROTARY | PEC11R-4020F-S0012.pdf | |
| HAL1823UA-A | IC HALL EFFECT SENSOR LIN TO92 | HAL1823UA-A.pdf |
