창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFH7446TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRFH7446(TR)PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Additional Fab/Assembly Site 18/Apr/2014 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET®, StrongIRFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 85A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.3m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 98nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3174pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 78W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-TQFN 노출형 패드 | |
공급 장치 패키지 | 8-PQFN(5x6) | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | IRFH7446TRPBFTR SP001577894 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFH7446TRPBF | |
관련 링크 | IRFH74, IRFH7446TRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | 25PR100LF | 100 Ohm 0.5W, 1/2W PC Pins Through Hole Trimmer Potentiometer Cermet 1 Turn Top Adjustment | 25PR100LF.pdf | |
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![]() | ERJ-S1DF3571U | RES SMD 3.57K OHM 1% 3/4W 2010 | ERJ-S1DF3571U.pdf | |
![]() | TNPW12107K32BEEA | RES SMD 7.32K OHM 0.1% 1/3W 1210 | TNPW12107K32BEEA.pdf | |
![]() | PHP00805E1051BST1 | RES SMD 1.05K OHM 0.1% 5/8W 0805 | PHP00805E1051BST1.pdf | |
![]() | MBA02040C3309FCT00 | RES 33 OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C3309FCT00.pdf | |
![]() | RSF2GT620R | RES MO 2W 620 OHM 2% AXIAL | RSF2GT620R.pdf | |
![]() | CW010350R0JB12 | RES 350 OHM 13W 5% AXIAL | CW010350R0JB12.pdf | |
![]() | BD1631J50100AHF | RF Balun 1.6GHz ~ 3.1GHz 50 / 100 Ohm 0805 (2012 Metric) | BD1631J50100AHF.pdf |