Infineon Technologies IRFH8324TR2PBF

IRFH8324TR2PBF
제조업체 부품 번호
IRFH8324TR2PBF
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 30V 18A 5X6 PQFN
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내부 부품 번호EIS-IRFH8324TR2PBF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서IRFH83242PbF
제품 교육 모듈Discrete Power MOSFETs 40V and Below
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보PQFN 5x6 RoHS Compliance
설계 리소스IRFH8324TR2PBF Saber Model
IRFH8324TR2PBF Spice Model
PCN 단종/ EOLMultiple Devices 13/Nov/2013
PCN 조립/원산지Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열HEXFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황단종
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C23A(Ta), 90A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs4.1m옴 @ 20A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.35V @ 50µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs31nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2380pF @ 10V
전력 - 최대3.6W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력TDFN
공급 장치 패키지PQFN(5x6)
표준 포장 400
다른 이름IRFH8324TR2PBFTR
SP001566826
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IRFH8324TR2PBF
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