Infineon Technologies IRFHE4250DTRPBF

IRFHE4250DTRPBF
제조업체 부품 번호
IRFHE4250DTRPBF
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
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MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN
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내부 부품 번호EIS-IRFHE4250DTRPBF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)2(1년)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서IRFHE4250DTRPbF
주요제품FastIRFET™ IRFHE4250DPbF MOSFETs
PCN 단종/ EOLMulti Mosfet EOL 2/Mar/2016
PCN 포장Package Drawing Update 19/Aug/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Infineon Technologies
계열FASTIRFET™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황생산 종료
FET 유형2 N-Chan(이중)
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)25V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C86A, 303A
Rds On(최대) @ Id, Vgs2.75m옴 @ 27A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.1V @ 35µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs20nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1735pF @ 13V
전력 - 최대156W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스32-PowerWFQFN
공급 장치 패키지32-PQFN(6x6)
표준 포장 3,000
다른 이름IRFHE4250DTRPBF-ND
IRFHE4250DTRPBFTR
SP001564116
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IRFHE4250DTRPBF
관련 링크IRFHE42, IRFHE4250DTRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor
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