Infineon Technologies IRFHM792TRPBF

IRFHM792TRPBF
제조업체 부품 번호
IRFHM792TRPBF
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
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MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
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내부 부품 번호EIS-IRFHM792TRPBF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서IRFHM792TR(2)PbF
제품 교육 모듈High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
설계 리소스IRFHM792TR2PBF Saber Model
IRFHM792TR2PBF Spice Model
PCN 조립/원산지IRFHM792TR(1)PBF,62-0217PBF Site 19/Jul/2013
Assembly Site 19/Jul/2013
Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
PCN 포장Package Drawing Update 19/Aug/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Infineon Technologies
계열HEXFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2 N-Chan(이중)
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C2.3A
Rds On(최대) @ Id, Vgs195m옴 @ 2.9A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 10µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs6.3nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds251pF @ 25V
전력 - 최대2.3W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력VDFN
공급 장치 패키지8-PQFN(3.3x3.3), Power33
표준 포장 4,000
다른 이름SP001554848
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IRFHM792TRPBF
관련 링크IRFHM7, IRFHM792TRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor
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