창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFHM830DTRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRFHM830DPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
설계 리소스 | IRFHM830DTR2PBF Saber Model IRFHM830DTR2PBF Spice Model | |
PCN 단종/ EOL | Multi Mosfet EOL 2/Mar/2016 | |
PCN 설계/사양 | Gate Wire Size Update 16/Dec/2014 | |
PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 Additional Assembly Site 10/Jul/2014 Assembly Site Retraction 01/Jul/2015 Assembly Site Revision 2 01/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Ta), 40A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.3m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.35V @ 50µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 27nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1797pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-VQFN 노출형 패드 | |
공급 장치 패키지 | PQFN(3x3) | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | SP001554840 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFHM830DTRPBF | |
관련 링크 | IRFHM83, IRFHM830DTRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
![]() | GRM155R61H222KA01D | 2200pF 50V 세라믹 커패시터 X5R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM155R61H222KA01D.pdf | |
![]() | SR201A821GARTR2 | 820pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.200" L x 0.125" W(5.08mm x 3.18mm) | SR201A821GARTR2.pdf | |
![]() | 416F48033CTT | 48MHz ±30ppm 수정 6pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F48033CTT.pdf | |
![]() | SIT1602AC-13-33E-33.333330D | OSC XO 3.3V 33.33333MHZ | SIT1602AC-13-33E-33.333330D.pdf | |
![]() | 1N5936BP/TR12 | DIODE ZENER 30V 1.5W DO204AL | 1N5936BP/TR12.pdf | |
![]() | RCH654NP-681K | 680µH Unshielded Wirewound Inductor 160mA 4.57 Ohm Max Radial | RCH654NP-681K.pdf | |
![]() | PTKM200R-30SM | 200µH Shielded Toroidal Inductor 1.04A 300 mOhm Max Nonstandard | PTKM200R-30SM.pdf | |
![]() | TJA1052IT/1Y | CAN Digital Isolator 1000Vrms 2 Channel 5Mbps 20kV/µs CMTI 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) | TJA1052IT/1Y.pdf | |
![]() | ALZ51F18TW | ALZ RELAY 1 FORM A 18V | ALZ51F18TW.pdf | |
![]() | HRG3216P-6492-D-T1 | RES SMD 64.9K OHM 0.5% 1W 1206 | HRG3216P-6492-D-T1.pdf | |
![]() | ESR18EZPJ000 | RES SMD 0.0 OHM JUMPER 1/3W 1206 | ESR18EZPJ000.pdf | |
![]() | 26PCFFH6G | Pressure Sensor ±100 PSI (±689.48 kPa) Compound Male - M5 0 mV ~ 100 mV (10V) 4-SIP Module | 26PCFFH6G.pdf |