Infineon Technologies IRFHM8363TRPBF

IRFHM8363TRPBF
제조업체 부품 번호
IRFHM8363TRPBF
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
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MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
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IRFHM8363TRPBF 매개 변수
내부 부품 번호EIS-IRFHM8363TRPBF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서IRFHM8363PbF
제품 교육 모듈High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Discrete Power MOSFETs 40V and Below
설계 리소스IRFHM8363TR2PBF Saber Model
IRFHM8363TR2PBF Spice Model
PCN 조립/원산지Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013
PCN 포장Package Drawing Update 19/Aug/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Infineon Technologies
계열HEXFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황새 설계에 권장하지 않음(NRND)
FET 유형2 N-Chan(이중)
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C11A
Rds On(최대) @ Id, Vgs14.9m옴 @ 10A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.35V @ 25µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs15nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1165pF @ 10V
전력 - 최대2.7W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력VDFN
공급 장치 패키지8-PQFN(3.3x3.3), Power33
표준 포장 4,000
다른 이름SP001565948
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IRFHM8363TRPBF
관련 링크IRFHM83, IRFHM8363TRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor
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