창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFHM9391TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRFHM9391TRPBF | |
제품 교육 모듈 | Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
PCN 조립/원산지 | Assembly Site Transfer 15/Oct/2014 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14.6m옴 @ 11A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 25µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 16nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1543pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2.6W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-PQFN(3.3x3.3), Power33 | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | IRFHM9391TRPBF-ND IRFHM9391TRPBFTR SP001570882 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFHM9391TRPBF | |
관련 링크 | IRFHM93, IRFHM9391TRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | BFC237531203 | 0.02µF Film Capacitor 500V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.181" L x 0.354" W (30.00mm x 9.00mm) | BFC237531203.pdf | |
![]() | 416F360X3CKR | 36MHz ±15ppm 수정 8pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F360X3CKR.pdf | |
![]() | SIT3809AI-D-18NE | 80MHz ~ 220MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V 33mA | SIT3809AI-D-18NE.pdf | |
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![]() | CRGH2512F6K98 | RES SMD 6.98K OHM 1% 2W 2512 | CRGH2512F6K98.pdf | |
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