Infineon Technologies IRFI4019HG-117P

IRFI4019HG-117P
제조업체 부품 번호
IRFI4019HG-117P
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO-220FP
Datesheet 다운로드
다운로드
IRFI4019HG-117P 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 2,692.91636
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of IRFI4019HG-117P, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IRFI4019HG-117P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFI4019HG-117P, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
IRFI4019HG-117P 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
IRFI4019HG-117P 매개 변수
내부 부품 번호EIS-IRFI4019HG-117P
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서IRFI4019HG-117P
제품 교육 모듈High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
PCN 단종/ EOLMult Device EOL 11/May/2016
Mult Dev EOL 15/May/2016
PCN 조립/원산지Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
Warehouse Transfer 29/Jul/2015
PCN 포장Package Drawing Update 19/Aug/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Infineon Technologies
계열-
포장튜브
부품 현황생산 종료
FET 유형2 N-Chan(이중)
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)150V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C8.7A
Rds On(최대) @ Id, Vgs95m옴 @ 5.2A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4.9V @ 50µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs20nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds810pF @ 25V
전력 - 최대18W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-5 Full Pack(성형 리드(Lead)
공급 장치 패키지TO-220-5 풀팩(Full Pack)
표준 포장 50
다른 이름IRFI4019HG117P
SP001578094
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)IRFI4019HG-117P
관련 링크IRFI401, IRFI4019HG-117P Datasheet, Infineon Technologies Distributor
IRFI4019HG-117P 의 관련 제품
220µF 16V Aluminum Capacitors Axial, Can 1.5 Ohm @ 100Hz 20000 Hrs @ 125°C MAL212385221.pdf
0.68µF Film Capacitor 630V Polyester, Metallized Axial 0.827" W, 0.394" T x 1.496" L (21.00mm, 10.00mm x 38.00mm) QAK2J684KTP.pdf
3300pF Film Capacitor 310V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.394" L x 0.157" W (10.00mm x 4.00mm) BFC233826332.pdf
11.0592MHz ±30ppm 수정 20pF 60옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US ECS-110.5-20-5PVX.pdf
20MHz ±20ppm 수정 18pF 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD 445W22D20M00000.pdf
22µH Unshielded Wirewound Inductor 175mA 440 mOhm 1007 (2518 Metric) LBR2518T220M.pdf
100µH Shielded Toroidal Inductor 3.14A 55 mOhm Max Radial PTHF100R-50.pdf
Solid State Relay DPST (2 Form B) 8-SMD (0.300", 7.62mm) LBB126STR.pdf
RES SMD 9K OHM 0.01% 0.3W 1206 Y16259K00000T9W.pdf
RES 0.18 OHM 1W 10% AXIAL CA0001R1800KE66.pdf
RES 52.3 OHM 1/2W .5% AXIAL CMF5552R300DHBF.pdf
RES 2.2 OHM 5W 10% RADIAL CPR052R200KE14.pdf