창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFI4229PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRFI4229PBF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 설계/사양 | Alternate Mold Compound 02/Jul/2014 | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 19A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 46m옴 @ 11A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4480pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 46W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | SP001575824 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFI4229PBF | |
관련 링크 | IRFI4, IRFI4229PBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | C1206C223J5GACTU | 0.022µF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206C223J5GACTU.pdf | |
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![]() | TISP4145M3AJR-S | SINGLE BIDIRECTIONAL PROTECTOR | TISP4145M3AJR-S.pdf | |
![]() | FR12JR02 | DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4 | FR12JR02.pdf | |
![]() | NC2D-P-DC48V | General Purpose Relay DPDT (2 Form C) 48VDC Coil Through Hole | NC2D-P-DC48V.pdf | |
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![]() | RT1210CRE07178KL | RES SMD 178K OHM 0.25% 1/4W 1210 | RT1210CRE07178KL.pdf | |
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![]() | CMF554K0200BER6 | RES 4.02K OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF554K0200BER6.pdf |