창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFIB7N50APBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRFIB7N50A,SiHFIB7N50A | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1524 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.6A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 520m옴 @ 4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 52nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1423pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 60W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 전체 팩(Pack), 절연 탭 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRFIB7N50APBF | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFIB7N50APBF | |
관련 링크 | IRFIB7, IRFIB7N50APBF Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
![]() | FL11K30 | FUSE LK CPS K 030A NRB 23" | FL11K30.pdf | |
![]() | VDRS20W095BSE | VARISTOR 150V 6.5KA DISC 22.50MM | VDRS20W095BSE.pdf | |
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![]() | 4426R-1 | 2.5nH Unshielded Wirewound Inductor 3A Nonstandard | 4426R-1.pdf | |
![]() | CRCW02013K90FKED | RES SMD 3.9K OHM 1% 1/20W 0201 | CRCW02013K90FKED.pdf | |
![]() | TNPW120618K2BEEN | RES SMD 18.2K OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW120618K2BEEN.pdf | |
![]() | TNPW121056K0BEEN | RES SMD 56K OHM 0.1% 1/3W 1210 | TNPW121056K0BEEN.pdf | |
![]() | RW1S0CKR005DET | RES SMD 0.005 OHM 0.5% 1W 4324 | RW1S0CKR005DET.pdf | |
![]() | CMF55160K00BERE70 | RES 160K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF55160K00BERE70.pdf | |
![]() | R3J5K0E | RES 5K OHM 3W 5% RADIAL | R3J5K0E.pdf | |
![]() | Y0075168R700T0L | RES 168.7 OHM 0.3W 0.01% RADIAL | Y0075168R700T0L.pdf |