Infineon Technologies IRFL4315PBF
- 제조업체 부품 번호
- IRFL4315PBF
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IRFL4315PBF 가격 및 조달
가능 수량
3493 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 432.92600
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IRFL4315PBF, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IRFL4315PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFL4315PBF, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IRFL4315PBF 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IRFL4315PBF 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFL4315PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IRFL4315PbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| PCN 설계/사양 | SOT-223 FET Wire 04/Jul/2013 SOT-223 Cu Wire 08/Oct/2013 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.6A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 185m옴 @ 1.6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 19nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 420pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.8W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-223 | |
| 표준 포장 | 80 | |
| 다른 이름 | SP001554908 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IRFL4315PBF | |
| 관련 링크 | IRFL4, IRFL4315PBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IRFL4315PBF 의 관련 제품
 | UHE1J181MHD6 | 180µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can 10000 Hrs @ 105°C | UHE1J181MHD6.pdf | |
 | ECE-A1HKS2R2I | 2.2µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 85°C | ECE-A1HKS2R2I.pdf | |
 | 08051C473KAT2A | 0.047µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | 08051C473KAT2A.pdf | |
 | LDEDD4100KA0N00 | 1µF Film Capacitor 40V 63V Polyester, Polyethylene Naphthalate (PEN), Metallized - Stacked 2220 (5750 Metric) 0.236" L x 0.197" W (6.00mm x 5.00mm) | LDEDD4100KA0N00.pdf | |
 | A197D | DIODE GEN PURP 300V 250A DO205AB | A197D.pdf | |
 | VSMB294008RG | Infrared (IR) Emitter 940nm 1.45V 100mA 30mW/sr @ 100mA 14° 2-SMD, Z-Bend | VSMB294008RG.pdf | |
 | ERJ-2GEJ431X | RES SMD 430 OHM 5% 1/10W 0402 | ERJ-2GEJ431X.pdf | |
.jpg) | AT0402DRD0760K4L | RES SMD 60.4KOHM 0.5% 1/16W 0402 | AT0402DRD0760K4L.pdf | |
 | RG1005N-5362-W-T5 | RES SMD 53.6K OHM 1/16W 0402 | RG1005N-5362-W-T5.pdf | |
 | 4310R-101-390LF | RES ARRAY 9 RES 39 OHM 10SIP | 4310R-101-390LF.pdf | |
 | Y00074R30000B9L | RES 4.3 OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y00074R30000B9L.pdf | |
 | NOM02A6-AW49G | CMOS Image Sensor Module | NOM02A6-AW49G.pdf |
