창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFP4110PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRFP4110PBF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 설계/사양 | Alternative Leadframe and Die Attach 11/Jun/2013 Pb/Sn/Ag Material Update 09/Feb/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Qualification Wafer Source 01/Apr/2014 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 TO220/247 Fab Site Transfer 19/May/2016 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1514 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.5m옴 @ 75A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 210nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9620pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 370W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247AC | |
표준 포장 | 25 | |
다른 이름 | AUXUSFP4110 AUXUSFP4110-ND SP001556724 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFP4110PBF | |
관련 링크 | IRFP4, IRFP4110PBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
UPM1A271MED1TD | 270µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | UPM1A271MED1TD.pdf | ||
![]() | AQ145A272KAJME | 2700pF 50V 세라믹 커패시터 A 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | AQ145A272KAJME.pdf | |
![]() | VJ0805D681FXBAR | 680pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D681FXBAR.pdf | |
![]() | BS030033BJ33036AC1 | 33pF 15000V(15kV) 세라믹 커패시터 축방향, CAN - 나사형 단자 1.181" Dia x 1.890" L(30.00mm x 48.00mm) | BS030033BJ33036AC1.pdf | |
![]() | SIT1602BI-32-28E-24.000000X | OSC XO 2.8V 24MHZ OE | SIT1602BI-32-28E-24.000000X.pdf | |
![]() | HMC1167LP5E | Center Frequency 6.375GHz, 12.75GHz Voltage Controlled Oscillator 2 ~ 13 V 3.5±4.5, 11±4 dBm 20 dBc | HMC1167LP5E.pdf | |
![]() | TXD2-L-9V-4 | TX-D RELAY2 FORM C 9V | TXD2-L-9V-4.pdf | |
![]() | ERJ-T08J272V | RES SMD 2.7K OHM 5% 1/3W 1206 | ERJ-T08J272V.pdf | |
![]() | AR1206JR-071K5L | RES SMD 1.5K OHM 5% 1/4W 1206 | AR1206JR-071K5L.pdf | |
![]() | MCS04020D2101BE100 | RES SMD 2.1K OHM 0.1% 1/16W 0402 | MCS04020D2101BE100.pdf | |
![]() | RCP1206B1K20GEC | RES SMD 1.2K OHM 2% 11W 1206 | RCP1206B1K20GEC.pdf | |
![]() | HX 03-P | Current Sensor 3A 1 Channel Hall Effect, Open Loop Bidirectional Module | HX 03-P.pdf |