창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFP4229PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRFP4229PBF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 설계/사양 | Alternative Leadframe and Die Attach 11/Jun/2013 | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 44A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 46m옴 @ 26A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4560pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 310W | |
작동 온도 | -40°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247AC | |
표준 포장 | 25 | |
다른 이름 | SP001578046 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFP4229PBF | |
관련 링크 | IRFP4, IRFP4229PBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | KRM55TR71E336MH01K | 33µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 2220(5750 미터법) 0.224" L x 0.197" W(5.70mm x 5.00mm) | KRM55TR71E336MH01K.pdf | |
![]() | GRM0225C1C100JD05D | 10pF 16V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 01005(0402 미터법) 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) | GRM0225C1C100JD05D.pdf | |
![]() | QXP2J223KRPT | 0.022µF Film Capacitor 200V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.630" L x 0.268" W (16.00mm x 6.80mm) | QXP2J223KRPT.pdf | |
SFA37S15K288B-F | 15µF Film Capacitor 370V Polypropylene (PP), Metallized Radial, Can 2.160" L x 1.310" W (54.86mm x 33.27mm), Lip | SFA37S15K288B-F.pdf | ||
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