창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFP4368PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRFP4368PBF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRFP4368PBF Saber Model IRFP4368PBF Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1514 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 195A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.85m옴 @ 195A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 570nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 19230pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 520W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247AC | |
표준 포장 | 25 | |
다른 이름 | SP001556774 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFP4368PBF | |
관련 링크 | IRFP4, IRFP4368PBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | D183M39Z5UH65J5R | 0.018µF 100V 세라믹 커패시터 Z5U 방사형, 디스크 0.394" Dia(10.00mm) | D183M39Z5UH65J5R.pdf | |
![]() | SR152A120JAATR2 | 12pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.150" L x 0.100" W(3.81mm x 2.54mm) | SR152A120JAATR2.pdf | |
![]() | FCN2416C474J-D4 | 0.47µF Film Capacitor 12V 16V Polyester, Polyethylene Naphthalate (PEN), Metallized - Stacked 2416 (6041 Metric) 0.236" L x 0.161" W (6.00mm x 4.10mm) | FCN2416C474J-D4.pdf | |
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![]() | PT0402FR-070R082L | RES SMD 0.082 OHM 1% 1/16W 0402 | PT0402FR-070R082L.pdf | |
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