창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFP4568PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRFP4568PBF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRFP4568PBF Saber Model IRFP4568PBF Spice Model | |
PCN 설계/사양 | Alternative Leadframe and Die Attach 11/Jun/2013 Pb/Sn/Ag Material Update 09/Feb/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1514 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 171A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.9m옴 @ 103A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 227nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10470pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 517W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247AC | |
표준 포장 | 25 | |
다른 이름 | SP001560548 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFP4568PBF | |
관련 링크 | IRFP4, IRFP4568PBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | UNL15W13K-F | 13µF Film Capacitor 1500V (1.5kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.969" Dia (50.00mm) | UNL15W13K-F.pdf | |
![]() | TAJA106K016H | 10µF Molded Tantalum Capacitors 16V 1206 (3216 Metric) 3 Ohm 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) | TAJA106K016H.pdf | |
![]() | BTW69-1000RG | SCR 1000V 50A 80MA TOP3 | BTW69-1000RG.pdf | |
![]() | RGC1206DTD825K | RES SMD 825K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RGC1206DTD825K.pdf | |
![]() | RT0805BRD07200RL | RES SMD 200 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RT0805BRD07200RL.pdf | |
![]() | AT1206DRD0753K6L | RES SMD 53.6K OHM 0.5% 1/4W 1206 | AT1206DRD0753K6L.pdf | |
![]() | CMF605K6200BER6 | RES 5.62K OHM 1W 0.1% AXIAL | CMF605K6200BER6.pdf |