창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFP9140NPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRFP9140NPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRFP9140N Saber Model IRFP9140N Spice Model | |
PCN 설계/사양 | Alternative Leadframe and Die Attach 11/Jun/2013 Pb/Sn/Ag Material Update 09/Feb/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 23A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 117m옴 @ 13A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 97nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 140W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247AC | |
표준 포장 | 25 | |
다른 이름 | *IRFP9140NPBF SP001556802 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFP9140NPBF | |
관련 링크 | IRFP91, IRFP9140NPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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MAL214236471E3 | 470µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 2500 Hrs @ 105°C | MAL214236471E3.pdf | ||
![]() | 1N6292AHE3/73 | TVS DIODE 64.1VWM 104VC 1.5KE | 1N6292AHE3/73.pdf | |
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![]() | LTE-4208C | Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 50mA 3.31mW/sr @ 20mA 20° Radial | LTE-4208C.pdf | |
![]() | LTR18EZPJ222 | RES SMD 2.2K OHM 3/4W 1206 WIDE | LTR18EZPJ222.pdf | |
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![]() | EX-Z12FAR | SENSOR THRUBM 200MM LT ON NPN OU | EX-Z12FAR.pdf | |
![]() | SSCDLND030PASA5 | Pressure Sensor 30 PSI (206.84 kPa) Absolute Male - 0.1" (2.47mm) Tube 12 b 8-DIP (0.524", 13.30mm), Top Port | SSCDLND030PASA5.pdf |