Infineon Technologies IRFR1010ZTRLPBF
- 제조업체 부품 번호
- IRFR1010ZTRLPBF
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IRFR1010ZTRLPBF 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 835.21150
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IRFR1010ZTRLPBF, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IRFR1010ZTRLPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFR1010ZTRLPBF, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IRFR1010ZTRLPBF 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IRFR1010ZTRLPBF 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFR1010ZTRLPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IRF(R,U)1010ZPbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| 설계 리소스 | IRFR1010Z Saber Model IRFR1010Z Spice Model | |
| PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 42A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.5m옴 @ 42A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 95nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2840pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 140W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SP001564960 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IRFR1010ZTRLPBF | |
| 관련 링크 | IRFR101, IRFR1010ZTRLPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IRFR1010ZTRLPBF 의 관련 제품
 | GRM1885C1H152JA01J | 1500pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1885C1H152JA01J.pdf | |
 | VJ0603D300MXCAP | 30pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D300MXCAP.pdf | |
 | C901U240JVSDBAWL40 | 24pF 400VAC 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C901U240JVSDBAWL40.pdf | |
 | 05045C821KAT1A | 820pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0504(1210 미터법) 0.050" L x 0.040" W(1.27mm x 1.02mm) | 05045C821KAT1A.pdf | |
 | VJ2225Y223JBCAT4X | 0.022µF 200V 세라믹 커패시터 X7R 2225(5763 미터법) 0.226" L x 0.250" W(5.74mm x 6.35mm) | VJ2225Y223JBCAT4X.pdf | |
 | BFC246728182 | 1800pF Film Capacitor 220V 400V Polyester, Metallized Radial 0.492" L x 0.177" W (12.50mm x 4.50mm) | BFC246728182.pdf | |
 | CSM1Z-A5B2C5-40-11.0592D18 | 11.0592MHz ±20ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC-49S | CSM1Z-A5B2C5-40-11.0592D18.pdf | |
 | 1PMT5948BE3/TR7 | DIODE ZENER 91V 3W DO216AA | 1PMT5948BE3/TR7.pdf | |
 | IRGB8B60KPBF | IGBT 600V 28A 167W TO220AB | IRGB8B60KPBF.pdf | |
| IHLW4040CFER1R0M11 | 1µH Shielded Inductor 24A 2.82 mOhm Max Nonstandard | IHLW4040CFER1R0M11.pdf | |
| CRCW12181M60JNEK | RES SMD 1.6M OHM 5% 1W 1218 | CRCW12181M60JNEK.pdf | |
 | CMF55590R00FHRE | RES 590 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55590R00FHRE.pdf |
