창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFR120PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRFR,IRFU,SiHFR,SiHFU_120 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-069-2014-Rev-0 23/May/2014 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.7A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 270m옴 @ 4.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 16nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 360pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 75 | |
다른 이름 | *IRFR120PBF | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFR120PBF | |
관련 링크 | IRFR1, IRFR120PBF Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
CDS19FD102JO3F | MICA | CDS19FD102JO3F.pdf | ||
445C22K20M00000 | 20MHz ±20ppm 수정 8pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C22K20M00000.pdf | ||
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Y07861K00000F9L | RES 1K OHM 0.6W 1% RADIAL | Y07861K00000F9L.pdf | ||
P51-100-G-W-I36-5V-000-000 | Pressure Sensor 100 PSI (689.48 kPa) Vented Gauge Male - 1/8" (3.18mm) NPT 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-100-G-W-I36-5V-000-000.pdf | ||
PPT0002GWW2VA | Pressure Sensor 2 PSI (13.79 kPa) Vented Gauge Male - 0.13" (3.18mm) Tube, Dual 0 V ~ 5 V Module Cube | PPT0002GWW2VA.pdf |