창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFR13N15DTRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF(R,U)13N15DPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 조립/원산지 | Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 180m옴 @ 8.3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 620pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 86W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | SP001571424 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFR13N15DTRPBF | |
관련 링크 | IRFR13N, IRFR13N15DTRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | GRM0336S1E6R9CD01D | 6.9pF 25V 세라믹 커패시터 S2H 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0336S1E6R9CD01D.pdf | |
![]() | BFC237535472 | 4700pF Film Capacitor 500V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.236" W (26.00mm x 6.00mm) | BFC237535472.pdf | |
![]() | FWC-1A10F | 1AMP 700V AC FERRULE 10 X 38MM | FWC-1A10F.pdf | |
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![]() | RT0805CRB0728KL | RES SMD 28K OHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRB0728KL.pdf | |
![]() | RCS0805360KFKEA | RES SMD 360K OHM 1% 0.4W 0805 | RCS0805360KFKEA.pdf | |
![]() | 43F4R0 | RES 4 OHM 3W 1% AXIAL | 43F4R0.pdf |