Infineon Technologies IRFR13N20DTRLP
- 제조업체 부품 번호
- IRFR13N20DTRLP
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IRFR13N20DTRLP 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 584.64800
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IRFR13N20DTRLP, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IRFR13N20DTRLP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFR13N20DTRLP, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IRFR13N20DTRLP 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IRFR13N20DTRLP 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFR13N20DTRLP | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IRF(R,U)13N20DPbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| 설계 리소스 | IRFR13N20DTRPBF Saber Model IRFR13N20DTRPBF Spice Model | |
| PCN 조립/원산지 | Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 235m옴 @ 8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 830pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 110W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SP001560582 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IRFR13N20DTRLP | |
| 관련 링크 | IRFR13N, IRFR13N20DTRLP Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IRFR13N20DTRLP 의 관련 제품
 | MALIEYN07LU418J02K | 1800µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 184 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C | MALIEYN07LU418J02K.pdf | |
 | MAL215713102E3 | 1000µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In - 3 Lead 235 mOhm @ 100Hz 5000 Hrs @ 85°C | MAL215713102E3.pdf | |
 | 184683K100RAA-F | 0.068µF Film Capacitor 63V 100V Polyester, Metallized Radial 0.413" L x 0.138" W (10.50mm x 3.50mm) | 184683K100RAA-F.pdf | |
 | PTVS9V0P1UTP,115 | TVS DIODE 9VWM 15.4VC FLATPOWER | PTVS9V0P1UTP,115.pdf | |
 | DSC1123AI1-120.0000 | 120MHz LVDS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 32mA Enable/Disable | DSC1123AI1-120.0000.pdf | |
| S2KW8C-2D | DIODE GEN PURP 8KV 3A MODULE | S2KW8C-2D.pdf | |
 | 1N5354BRLG | DIODE ZENER 17V 5W AXIAL | 1N5354BRLG.pdf | |
 | 5022R-183G | 18µH Unshielded Inductor 388mA 2.25 Ohm Max 2-SMD | 5022R-183G.pdf | |
 | DC630R-273K | 27µH Unshielded Wirewound Inductor 5.72A 30 mOhm Max Radial | DC630R-273K.pdf | |
 | ERD-S1TJ183V | RES 18K OHM 1/2W 5% AXIAL | ERD-S1TJ183V.pdf | |
| P51-100-S-M-I36-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 100 PSI (689.48 kPa) Sealed Gauge Male - M10 x 1.0 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-100-S-M-I36-4.5V-000-000.pdf | |
 | MAX1668MEE+T | SENSOR TEMPERATURE SMBUS 16QSOP | MAX1668MEE+T.pdf |
