창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFR13N20DTRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF(R,U)13N20DPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRFR13N20DTRPBF Saber Model IRFR13N20DTRPBF Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 235m옴 @ 8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 830pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 110W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | IRFR13N20DPBFTR IRFR13N20DTRPBF-ND IRFR13N20DTRPBFTR-ND SP001567488 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFR13N20DTRPBF | |
관련 링크 | IRFR13N, IRFR13N20DTRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
![]() | UHD1A562MHD | 5600µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | UHD1A562MHD.pdf | |
![]() | RDE5C1H562J1M1H03A | 5600pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.177" L x 0.124" W(4.50mm x 3.15mm) | RDE5C1H562J1M1H03A.pdf | |
![]() | VJ0603D101JXXAT | 100pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D101JXXAT.pdf | |
![]() | MKP385518040JKP2T0 | 1.8µF Film Capacitor 200V 400V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.220" L x 0.512" W (31.00mm x 13.00mm) | MKP385518040JKP2T0.pdf | |
![]() | TC-25.000625MDE-T | 25.000625MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8V Enable/Disable | TC-25.000625MDE-T.pdf | |
![]() | MP6-2Q-1L-1L-4NN-00 | MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY | MP6-2Q-1L-1L-4NN-00.pdf | |
![]() | ISC1210ERR12M | 120nH Shielded Wirewound Inductor 630mA 200 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | ISC1210ERR12M.pdf | |
![]() | RE1206DRE07649RL | RES SMD 649 OHM 0.5% 1/4W 1206 | RE1206DRE07649RL.pdf | |
![]() | TNPU0805147KBZEN00 | RES SMD 147K OHM 0.1% 1/8W 0805 | TNPU0805147KBZEN00.pdf | |
![]() | CMF502K2600FHEB | RES 2.26K OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF502K2600FHEB.pdf | |
![]() | RS01A3K900FE70 | RES 3.9K OHM 1W 1% WW AXIAL | RS01A3K900FE70.pdf | |
![]() | LMV225TLEVAL | BOARD EVAL FOR LMV225 MICRO SMD | LMV225TLEVAL.pdf |