창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFR18N15DPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRFR18N15DPbF, IRFU18N15DPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRFR18N15D Saber Model IRFR18N15D Spice Model | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 125m옴 @ 11A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 43nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 900pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 110W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 75 | |
다른 이름 | *IRFR18N15DPBF SP001571416 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFR18N15DPBF | |
관련 링크 | IRFR18, IRFR18N15DPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | MCR18ERTF1821 | RES SMD 1.82K OHM 1% 1/4W 1206 | MCR18ERTF1821.pdf | |
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![]() | CRCW060336K0DHEAP | RES SMD 36K OHM 0.5% 1/10W 0603 | CRCW060336K0DHEAP.pdf | |
![]() | CMF55825K00DHEB | RES 825K OHM 1/2W .5% AXIAL | CMF55825K00DHEB.pdf | |
![]() | E3S-AR11-M1J 0.3M | SENSOR OPTO REFL 2M CONN MOD | E3S-AR11-M1J 0.3M.pdf | |
![]() | P51-75-S-S-I36-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 75 PSI (517.11 kPa) Sealed Gauge Female - 1/4" (6.35mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-75-S-S-I36-4.5V-000-000.pdf |