창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFR220NPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRFR220NPbF, IRFU220NPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRFR220NPBF Saber Model IRFR220NPBF Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 600m옴 @ 2.9A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 23nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 300pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 43W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 75 | |
다른 이름 | 64-4116PBF 64-4116PBF-ND SP001560574 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFR220NPBF | |
관련 링크 | IRFR2, IRFR220NPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
C1206C220J5GALTU | 22pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206C220J5GALTU.pdf | ||
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AC0201FR-078K87L | RES SMD 8.87K OHM 1% 1/20W 0201 | AC0201FR-078K87L.pdf | ||
RC0100FR-071K1L | RES SMD 1.1K OHM 1% 1/32W 01005 | RC0100FR-071K1L.pdf | ||
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ERJ-L12UF46MU | RES SMD 0.046 OHM 1% 1/2W 1812 | ERJ-L12UF46MU.pdf | ||
RCS04021K78FKED | RES SMD 1.78K OHM 1% 1/5W 0402 | RCS04021K78FKED.pdf | ||
HHV100FR-73-1M2 | RES 1.2M OHM 1W 1% AXIAL | HHV100FR-73-1M2.pdf | ||
CPCC0324R00JE66 | RES 24 OHM 3W 5% RADIAL | CPCC0324R00JE66.pdf |