창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFR2307ZTRLPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF(R,U)2307ZPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRFR2307Z Saber Model IRFR2307Z Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 42A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 16m옴 @ 32A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 75nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2190pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 110W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SP001555008 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFR2307ZTRLPBF | |
관련 링크 | IRFR230, IRFR2307ZTRLPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | EKMH451VNN221MA30W | 220µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 1.13 Ohm 2000 Hrs @ 105°C | EKMH451VNN221MA30W.pdf | |
![]() | SR075A471KAA | 470pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.150" L x 0.100" W(3.81mm x 2.54mm) | SR075A471KAA.pdf | |
![]() | VJ0402D1R2DXCAJ | 1.2pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D1R2DXCAJ.pdf | |
B32671P4474M | 0.47µF Film Capacitor 160V 450V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.512" L x 0.236" W (13.00mm x 6.00mm) | B32671P4474M.pdf | ||
![]() | SMAJ48CA-E3/5A | TVS DIODE 48VWM 77.4VC SMA | SMAJ48CA-E3/5A.pdf | |
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