창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFR2407TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRFR2407, IRFU2407 IRFR2407PbF, IRFU2407PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRFR2407TRPBF Saber Model IRFR2407TRPBF Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 42A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 26m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2400pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 110W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | IRFR2407PBFTR IRFR2407TRPBF-ND IRFR2407TRPBFTR-ND SP001556854 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFR2407TRPBF | |
관련 링크 | IRFR24, IRFR2407TRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
EEU-FC2A330L | 33µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | EEU-FC2A330L.pdf | ||
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402F250XXCKT | 25MHz ±15ppm 수정 8pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F250XXCKT.pdf | ||
416F52022CAT | 52MHz ±20ppm 수정 10pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F52022CAT.pdf | ||
1330R-58J | 39µH Unshielded Inductor 125mA 3.6 Ohm Max 2-SMD | 1330R-58J.pdf | ||
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PRG3216P-5231-B-T5 | RES SMD 5.23K OHM 1W 1206 WIDE | PRG3216P-5231-B-T5.pdf | ||
PHP00805H1911BST1 | RES SMD 1.91K OHM 0.1% 5/8W 0805 | PHP00805H1911BST1.pdf | ||
RSF1JB20K0 | RES MO 1W 20K OHM 5% AXIAL | RSF1JB20K0.pdf | ||
Y6071120R000B0L | RES 120 OHM .3W .1% RADIAL | Y6071120R000B0L.pdf |